05年全球半導(dǎo)體繼續(xù)增長“IT泡沫不會重演”

全球半導(dǎo)體市場統(tǒng)計(jì)（WSTS）的2004年至2007年的市場預(yù)測（秋季版）于2004年11月2日公布。2004年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將比上年增長27.8%，達(dá)到2128億美元左右。市場規(guī)模將超過歷史最高紀(jì)錄的2000年（該年的紀(jì)錄為約2044億美元）。

2004年之后全球半導(dǎo)體市場的增速將放緩，2005年和2006年與上年相比將分別增長1.2%和3%，盡管增長率有所下降，但“仍能繼續(xù)維持增長。不會像IT泡沫崩潰的2001年那樣變成負(fù)增長。2001年半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅下挫的最大原因在于流通環(huán)節(jié)的庫存積壓嚴(yán)重。結(jié)果導(dǎo)致半導(dǎo)體的出廠量大幅減少。此次，流通環(huán)節(jié)的庫存并沒有積壓太多”（WSTS日本協(xié)會）。

2007年的全球市場規(guī)模將同比增長11.4%，再次步入正常增長的軌道。“2007年，一是有望產(chǎn)生北京奧運(yùn)特需，再加上還將產(chǎn)生手機(jī)和計(jì)算機(jī)的更新?lián)Q代需求，因此預(yù)計(jì)將會出現(xiàn)真正的恢復(fù)走勢”（WSTS日本協(xié)商會）。

2004年各類產(chǎn)品的全球市場規(guī)模如下，光電子產(chǎn)品領(lǐng)域同比增長44.4%，約為138億美元；傳感器領(lǐng)域同比增長37%，約為49億美元；離散器件領(lǐng)域同比增長19.6%，約為160億美元。光電子產(chǎn)品領(lǐng)域之所以大幅增長，是因?yàn)槭謾C(jī)與數(shù)碼相機(jī)用固體攝影組件、手機(jī)背照燈、白色LED、DVD用半導(dǎo)體激光器等產(chǎn)品增長勢頭良好。傳感器領(lǐng)域之所以能夠?qū)崿F(xiàn)高增長率，主要取決于溫度傳感器和壓力傳感器的供貨量穩(wěn)步增長?！澳壳埃瑴囟葌鞲衅骱蛪毫鞲衅鞯挠猛編缀跞繛檐囕d領(lǐng)域”（WSTS日本協(xié)商會）。

作為2004年各類ic產(chǎn)品的預(yù)測，Mos內(nèi)存預(yù)計(jì)將比上年增長45.3%，Mos微處理器同比增長14.3%，Mos邏輯組件同比增長33.5%，仿真產(chǎn)品同比增長18%。Mos內(nèi)存之所以大幅增長，是因?yàn)閐ram和閃存Eeprom均穩(wěn)步增長。2004年的dram市場將比上年增長60%左右，約達(dá)267億美元；閃存Eeprom同比增長33.3%，約達(dá)156億美元。

2005年所有領(lǐng)域的增速都將放緩。2005年，離散產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)⑼仍鲩L0.3%，光電子產(chǎn)品將同比增長14.5%，Mos內(nèi)在將同比下降3.6%，Mos微處理器將同比增長1.9%，Mos邏輯組件將同比增長1.2%，仿真產(chǎn)品將同比增長0.8%。

面向日本國內(nèi)出廠的半導(dǎo)體市場增長率（按日元計(jì)算）為，2004年同比增長12.2%，但是2003年曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了同比增長18.3%，所以與之相比增長有所放緩。2005年、2006年和2007年同比增長預(yù)計(jì)將分別為1.9%、3.3%和9.5%，日本的半導(dǎo)體市場規(guī)模2004年、2005、2006和2007年將分別達(dá)到5.1萬億日元、5.1萬億日元、5.3萬億日元和5.8萬億日元左右。2003年至2007年間的年平均增長率預(yù)計(jì)將達(dá)到6.6%。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會2004/11/9